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热门问题
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Q如何实现Flash方式的远距离探测与干扰抑制：
A1.Flash面发射体制决定需要大视场角焦平面阵列形式接收（如图1所示），因此增大了视场角内的背景光与干扰光接收概率与能量，使得传感器积分过程获得的总信号量中无效信号占据极高比例，降低了有效回波能量的SNR（如图2所示）...查看详情>>
问题分析：
1.Flash面发射体制决定需要大视场角焦平面阵列形式接收（如图1所示），因此增大了视场角内的背景光与干扰光接收概率与能量，使得传感器积分过程获得的总信号量中无效信号占据极高比例，降低了有效回波能量的SNR（如图2所示）；
2.长程测距具有较高的距离检测范围，因此对应的本征探测光能量动态范围将不小于80dB，因此常规积分型接收阵列像素单元的动态范围无法适用于该应用。
图1 Flash方式工作时的环境光路状态，大视场角提高了“非我”信号的接收概率
图2 光电积分过程引入的“非我”共模信号和后级电路噪声降低了有效回波信号的读出SNR，准确测距信号量难以获得
图3 积分电容的阱容（动态范围）限制导致短曝光无法读出弱信号（远距离）、长曝光无法响应强信号（近距离）
飞芯采用两代技术路径解决上述问题：
第一代伪随机码序列方案：如图4所示：
针对背景光与串扰光的解决方法：通过像素级卷积技术，将“非我”信号通过像素电荷域的处理进行消除（如图4），仅将有效“自我”信号进行积分并输出，实现在不提高发射功率的情况下提升接收SNR，实现远距离低能量回波信号的有效接收处理；
针对长程测距的动态范围拓展方法：如图5所示，采用像素级折叠积分技术，扩展了像素的本征动态范围，像素ADC+列级ADC总位数高于18bit，提高了光强接收上限饱和点。
图5 像素级折叠积分扩展动态范围技术
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QDTOF与CIS的区别：
A1) 响应器件：CIS采用pinned型积分光电器件配合4T晶体管实现像素，像素输出积分后的模拟电压；而DTOF一般采用SPAD+淬灭电路实现像元，脉冲触发器件雪崩形成脉冲信号；两种响应器件指标体系不同，CISpixel关注静态指标体系，如QE、DC、FWC，而SPAD存在静态与动态指标为PDP、DCR、jitter...查看详情>>
1) 响应器件：CIS采用pinned型积分光电器件配合4T晶体管实现像素，像素输出积分后的模拟电压；而DTOF一般采用SPAD+淬灭电路实现像元，脉冲触发器件雪崩形成脉冲信号；两种响应器件指标体系不同，CISpixel关注静态指标体系，如QE、DC、FWC，而SPAD存在静态与动态指标为PDP、DCR、jitter。
2) 读出形式：CIS一般采用rolling/global shutter形式，采用行选通列读出，而DTOF pixel需要与TDC电路建立复用，实现地址锁存及TCSPC方式读出信号。
3) 数据通道带宽：CIS在亿级像素以下时采用D-PHY MIPI即可完成数据输出；ITOF与CIS同样分辨率、同样ADC位数、同样帧频条件下将会多出至少4倍以上数据量，DTOF数据量提升更高，因此TOF芯片在设计时还要重点关注分辨率提升后的片内信号处理技术、高带宽输出技术的配合。
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Q相比传统的CIS产品，TOF产品开发会遇到哪些新问题？即，传统CIS厂商开发TOF时会遇到的新问题有哪些
A主要新问题包括：1.近红外量子效率提升；2.体区隔离串扰抑制；3.体区纵向电场与转移横向电场优化4.读出电路环路的共模噪声消除及非线性响应引发测距本征精度误差的抑制技术；... 查看详情>>
1.近红外量子效率提升；
2.体区隔离串扰抑制；
3.体区纵向电场与转移横向电场优化；
4.读出电路环路的共模噪声消除及非线性响应引发测距本征精度误差的抑制技术；
5.背景光与干扰光的抑制技术；
6.随测距距离增大导致的光接收动态范围扩展问题；
7.ITOF的积分工作原理决定了存在近场测距时的多路径干扰问题等；
8.DTOF技术方案中TDC复用技术及片上处理技术与读出带宽匹配问题。
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